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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTH130N20T
IXTH130N20T Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTH130N20T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTH130N20T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTH130N20T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 130A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXTH130N20T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9130

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTH130N20T
Specifiche tecniche IXYS - IXTH130N20T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTH130N20T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)  
Serie Trench  
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 830W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTH130  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTH130N20T

Proprietà del prodotto IXTH130N20T IXTH12N90 IXTH12N100Q IXTH12N120
Modello di prodotti IXTH130N20T IXTH12N90 IXTH12N100Q IXTH12N120
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Numero di prodotto di base IXTH130 IXTH12 IXTH12 IXTH12
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 500mA, 10V 900mOhm @ 6A, 10V - 1.4Ohm @ 6A, 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 900 V 1000 V 1200 V
Pacchetto Tube Tube Tube Box
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8800 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V - 3400 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie Trench MegaMOS™ Q Class -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V - 95 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±30V
Dissipazione di potenza (max) 830W (Tc) 300W (Tc) - 500W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA 4.5V @ 250µA - 5V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc)

IXTH130N20T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTH130N20T PDF e la documentazione IXYS per IXTH130N20T - IXYS.

Schede tecniche
IXTH130N20T.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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