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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN170N30P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFN170N30P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN170N30P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN170N30P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN170N30P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1075

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN170N30P
Specifiche tecniche IXYS - IXFN170N30P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN170N30P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 85A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 890W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 258 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 300 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 138A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN170  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN170N30P

Proprietà del prodotto IXFN170N30P IXFN160N30T IXFN140N30P IXFN180N07
Modello di prodotti IXFN170N30P IXFN160N30T IXFN140N30P IXFN180N07
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 85A, 10V 19mOhm @ 60A, 10V 24mOhm @ 70A, 10V 7mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Numero di prodotto di base IXFN170 IXFN160 IXFN140 IXFN180
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 138A (Tc) 130A (Tc) 110A (Tc) 180A (Tc)
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 258 nC @ 10 V 335 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 480 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V 28000 pF @ 25 V 14800 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 890W (Tc) 900W (Tc) 700W (Tc) 520W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 300 V 300 V 300 V 70 V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA

IXFN170N30P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN170N30P PDF e la documentazione IXYS per IXFN170N30P - IXYS.

Schede tecniche
IXFN170N30P.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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