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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN170N25X3
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFN170N25X3 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN170N25X3
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN170N25X3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN170N25X3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1250

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN170N25X3
Specifiche tecniche IXYS - IXFN170N25X3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN170N25X3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Ultra X3  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.4mOhm @ 85A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 390W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 170A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN170  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN170N25X3

Proprietà del prodotto IXFN170N25X3 IXFN180N25T IXFN150N15 IXFN150N10
Modello di prodotti IXFN170N25X3 IXFN180N25T IXFN150N15 IXFN150N10
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 170A (Tc) 168A (Tc) 150A (Tc) 150A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA 4V @ 8mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Dissipazione di potenza (max) 390W (Tc) 900W (Tc) 600W (Tc) 520W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V 28000 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base IXFN170 IXFN180 IXFN150 IXFN150
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 250 V 150 V 100 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 345 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 7.4mOhm @ 85A, 10V 12.9mOhm @ 60A, 10V 12.5mOhm @ 75A, 10V 12mOhm @ 75A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Serie HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™, Trench HiPerFET™ HiPerFET™
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

IXFN170N25X3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN170N25X3 PDF e la documentazione IXYS per IXFN170N25X3 - IXYS.

Schede tecniche
IXFN170N25X3.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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