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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN150N15
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFN150N15 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN150N15
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN150N15
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN150N15.pdf
In magazzino: 4670

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN150N15
Specifiche tecniche IXYS - IXFN150N15, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN150N15

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 12.5mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 600W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 150A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN150  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN150N15

Proprietà del prodotto IXFN150N15 IXFN170N10 IXFN140N30P IXFN120N25
Modello di prodotti IXFN150N15 IXFN170N10 IXFN140N30P IXFN120N25
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V 515 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V -
Numero di prodotto di base IXFN150 IXFN170 IXFN140 IXFN120
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 150A (Tc) 170A (Tc) 110A (Tc) 120A
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar -
Dissipazione di potenza (max) 600W (Tc) 600W (Tc) 700W (Tc) -
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA 4V @ 8mA 5V @ 8mA -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V 10300 pF @ 25 V 14800 pF @ 25 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 100 V 300 V 250 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 12.5mOhm @ 75A, 10V 10mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 70A, 10V -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -

IXFN150N15 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN150N15 PDF e la documentazione IXYS per IXFN150N15 - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Schede tecniche
IXFN150N15.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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