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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFK120N20P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFK120N20P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFK120N20P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFK120N20P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
IXF(H,K)120N20P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3726

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFK120N20P
Specifiche tecniche IXYS - IXFK120N20P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFK120N20P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 714W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Box  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFK120  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFK120N20P

Proprietà del prodotto IXFK120N20P IXFK120N25P IXFK120N25 IXFK150N15
Modello di prodotti IXFK120N20P IXFK120N25P IXFK120N25 IXFK150N15
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Numero di prodotto di base IXFK120 IXFK120 IXFK120 IXFK150
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Box Tube Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 714W (Tc) 700W (Tc) 560W (Tc) 560W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 250 V 250 V 150 V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA 5V @ 4mA 4V @ 8mA 4V @ 8mA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 150A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 60A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 12.5mOhm @ 75A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)

IXFK120N20P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFK120N20P PDF e la documentazione IXYS per IXFK120N20P - IXYS.

Schede tecniche
IXF(H,K)120N20P.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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