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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFK150N15
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFK150N15 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFK150N15
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFK150N15
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 150A TO264AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-264-3, TO-264AA
Scheda dati
IXF(K,X)150N15.pdf
In magazzino: 4190

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFK150N15
Specifiche tecniche IXYS - IXFK150N15, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFK150N15

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 12.5mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 560W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 150A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFK150  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFK150N15

Proprietà del prodotto IXFK150N15 IXFK180N25T IXFK120N20 IXFK140N20P
Modello di prodotti IXFK150N15 IXFK180N25T IXFK120N20 IXFK140N20P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Numero di prodotto di base IXFK150 IXFK180 IXFK120 IXFK140
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V, 15V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 560W (Tc) 1390W (Tc) 560W (Tc) 830W (Tc)
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Trench HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V 345 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V 28000 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA 5V @ 4mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 150A (Tc) 180A (Tc) 120A (Tc) 140A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 12.5mOhm @ 75A, 10V 12.9mOhm @ 60A, 10V 17mOhm @ 60A, 10V 18mOhm @ 70A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 250 V 200 V 200 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IXFK150N15 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFK150N15 PDF e la documentazione IXYS per IXFK150N15 - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Schede tecniche
IXF(K,X)150N15.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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