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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFH96N15P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFH96N15P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFH96N15P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFH96N15P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 96A TO247AD
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXF(H,V)96N15P(S).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 6189

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFH96N15P
Specifiche tecniche IXYS - IXFH96N15P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFH96N15P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 480W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Box  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 96A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFH96  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFH96N15P

Proprietà del prodotto IXFH96N15P IXFH86N30T IXFK100N65X2 IXFK120N20
Modello di prodotti IXFH96N15P IXFH86N30T IXFK100N65X2 IXFK120N20
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™
Dissipazione di potenza (max) 480W (Tc) 860W (Tc) 1040W (Tc) 560W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IXFH96 IXFH86 IXFK100 IXFK120
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA 5V @ 4mA 5.5V @ 4mA 4V @ 8mA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-264 TO-264AA (IXFK)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 500mA, 10V 43mOhm @ 43A, 10V 30mOhm @ 50A, 10V 17mOhm @ 60A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 300 V 650 V 200 V
Pacchetto Box Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 96A (Tc) 86A (Tc) 100A (Tc) 120A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V

IXFH96N15P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFH96N15P PDF e la documentazione IXYS per IXFH96N15P - IXYS.

Schede tecniche
IXF(H,V)96N15P(S).pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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