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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFE48N50QD3
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFE48N50QD3 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFE48N50QD3
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFE48N50QD3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFE(44,48)N50QD2/3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3790

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFE48N50QD3
Specifiche tecniche IXYS - IXFE48N50QD3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFE48N50QD3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Depletion  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 24A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 41A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFE48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFE48N50QD3

Proprietà del prodotto IXFE48N50QD3 IXFE73N30Q IXFH102N15T IXFH120N20P
Modello di prodotti IXFE48N50QD3 IXFE73N30Q IXFH102N15T IXFH120N20P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Numero di prodotto di base IXFE48 IXFE73 IXFH102 IXFH120
Pacchetto Tube Tube Tube Box
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8000 pF @ 25 V 6400 pF @ 25 V 5220 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA 4V @ 4mA 5V @ 1mA 5V @ 4mA
Dissipazione di potenza (max) 400W (Tc) 400W (Tc) 455W (Tc) 714W (Tc)
Serie HiPerFET™, Depletion HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Polar
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 TO-247-3
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 24A, 10V 46mOhm @ 36.5A, 10V 18mOhm @ 500mA, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 41A (Tc) 66A (Tc) 102A (Tc) 120A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 300 V 150 V 200 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IXFE48N50QD3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFE48N50QD3 PDF e la documentazione IXYS per IXFE48N50QD3 - IXYS.

Schede tecniche
IXFE(44,48)N50QD2/3.pdf

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Europa Germania 5
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Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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