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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciBSZ0909NDXTMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSZ0909NDXTMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSZ0909NDXTMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSZ0909NDXTMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
BSZ0909NDXTMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4730

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSZ0909NDXTMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSZ0909NDXTMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSZ0909NDXTMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-WISON-8  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V  
Potenza - Max 17W  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base BSZ0909  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSZ0909NDXTMA1

Proprietà del prodotto BSZ0909NDXTMA1 BSZ0908NDXTMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ0909LSATMA1
Modello di prodotti BSZ0909NDXTMA1 BSZ0908NDXTMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ0909LSATMA1
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V, 6.4nC @ 4.5V 22 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 100 V 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 4.8A (Ta), 7.6A (Ta) 40A (Tc) 19A (Ta), 40A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base BSZ0909 BSZ0908 BSZ096 BSZ0909
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 15V 340pF @ 15V, 730pF @ 15V 2100 pF @ 50 V 1700 pF @ 15 V
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive Logic Level Gate, 4.5V Drive Standard -
Contenitore dispositivo fornitore PG-WISON-8 PG-WISON-8 PG-TSDSON-8-FL PG-TDSON-8 FL
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.3V @ 36µA 2V @ 250µA
Serie OptiMOS™ OptiMOS® OptiMOS™ 5 OptiMOS™ 5
Potenza - Max 17W 700mW (Ta), 860mW (Ta) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V 18mOhm @ 9A, 10V, 9mOhm @ 9A, 10V 9.6mOhm @ 20A, 10V 3mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

BSZ0909NDXTMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSZ0909NDXTMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSZ0909NDXTMA1 - Infineon Technologies.

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