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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)MemoriaGD25Q80ETIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

GD25Q80ETIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

fabbricante Modello di prodotti
GD25Q80ETIGR
fabbricante
GigaDevice
Allelco Modello di prodotti
32D-GD25Q80ETIGR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
Product Selection Guide 2023.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 110750

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche GD25Q80ETIGR
Specifiche tecniche GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25Q80ETIGR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25Q80ETIGR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GigaDevice  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 70µs, 2ms  
Tensione di alimentazione - 2.7V ~ 3.6V  
Tecnologia FLASH - NOR  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di memoria Non-Volatile  
Dimensione della memoria 8Mbit  
Organizzazione di memoria 1M x 8  
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O  
Formato di memoria FLASH  
Frequenza dell'orologio 133 MHz  
Numero di prodotto di base GD25Q80  
Tempo di accesso 7 ns  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ETIGR

Proprietà del prodotto GD25Q80ETIGR GD25Q80EEIGR GD25Q80CWIGR GD25Q80CTIGR
Modello di prodotti GD25Q80ETIGR GD25Q80EEIGR GD25Q80CWIGR GD25Q80CTIGR
fabbricante GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 70µs, 2ms 70µs, 2ms 50µs, 2.4ms 50µs, 2.4ms
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Tensione di alimentazione - 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Organizzazione di memoria 1M x 8 1M x 8 1M x 8 1M x 8
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tempo di accesso 7 ns 7 ns - -
Frequenza dell'orologio 133 MHz 133 MHz 120 MHz 120 MHz
Serie - - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-XFDFN Exposed Pad 8-WDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo di memoria Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Dimensione della memoria 8Mbit 8Mbit 8Mbit 8Mbit
Tecnologia FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-USON (2x3) 8-WSON (5x6) 8-SOP
Numero di prodotto di base GD25Q80 GD25Q80 GD25Q80 GD25Q80
Formato di memoria FLASH FLASH FLASH FLASH
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

GD25Q80ETIGR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GD25Q80ETIGR PDF e la documentazione GigaDevice Semiconductor (HK) Limited per GD25Q80ETIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited.

Schede tecniche
Product Selection Guide 2023.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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