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GD25Q80CTIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

fabbricante Modello di prodotti
GD25Q80CTIGR
fabbricante
GigaDevice
Allelco Modello di prodotti
32D-GD25Q80CTIGR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
Product Selection Guide 2023.pdf
GD25Q80C Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 86780

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche GD25Q80CTIGR
Specifiche tecniche GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25Q80CTIGR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25Q80CTIGR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GigaDevice  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 50µs, 2.4ms  
Tensione di alimentazione - 2.7V ~ 3.6V  
Tecnologia FLASH - NOR  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di memoria Non-Volatile  
Dimensione della memoria 8Mbit  
Organizzazione di memoria 1M x 8  
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O  
Formato di memoria FLASH  
Frequenza dell'orologio 120 MHz  
Numero di prodotto di base GD25Q80  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CTIGR

Proprietà del prodotto GD25Q80CTIGR GD25Q80CEIGR GD25Q80CTIG GD25Q80CWIGR
Modello di prodotti GD25Q80CTIGR GD25Q80CEIGR GD25Q80CTIG GD25Q80CWIGR
fabbricante GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Tensione di alimentazione - 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Numero di prodotto di base GD25Q80 GD25Q80 GD25Q80 GD25Q80
Dimensione della memoria 8Mbit 8Mbit 8Mbit 8Mbit
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-XFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-WDFN Exposed Pad
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 50µs, 2.4ms 50µs, 2.4ms 50µs, 2.4ms 50µs, 2.4ms
Frequenza dell'orologio 120 MHz 120 MHz 120 MHz 120 MHz
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di memoria Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Tecnologia FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-USON (2x3) 8-SOP 8-WSON (5x6)
Formato di memoria FLASH FLASH FLASH FLASH
Organizzazione di memoria 1M x 8 1M x 8 1M x 8 1M x 8

GD25Q80CTIGR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GD25Q80CTIGR PDF e la documentazione GigaDevice Semiconductor (HK) Limited per GD25Q80CTIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited.

Schede tecniche
Product Selection Guide 2023.pdf GD25Q80C Datasheet.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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