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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

GD25Q80EEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

fabbricante Modello di prodotti
GD25Q80EEIGR
fabbricante
GigaDevice
Allelco Modello di prodotti
32D-GD25Q80EEIGR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-XFDFN Exposed Pad
Scheda dati
Product Selection Guide 2023.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 103740

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche GD25Q80EEIGR
Specifiche tecniche GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25Q80EEIGR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25Q80EEIGR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante GigaDevice  
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 70µs, 2ms  
Tensione di alimentazione - 2.7V ~ 3.6V  
Tecnologia FLASH - NOR  
Contenitore dispositivo fornitore 8-USON (2x3)  
Serie -  
Contenitore / involucro 8-XFDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di memoria Non-Volatile  
Dimensione della memoria 8Mbit  
Organizzazione di memoria 1M x 8  
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O  
Formato di memoria FLASH  
Frequenza dell'orologio 133 MHz  
Numero di prodotto di base GD25Q80  
Tempo di accesso 7 ns  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80EEIGR

Proprietà del prodotto GD25Q80EEIGR GD25Q80ESIGR GD25Q80CEIGR GD25Q80CTIG
Modello di prodotti GD25Q80EEIGR GD25Q80ESIGR GD25Q80CEIGR GD25Q80CTIG
fabbricante GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Formato di memoria FLASH FLASH FLASH FLASH
Tensione di alimentazione - 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Tecnologia FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Contenitore / involucro 8-XFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 8-XFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Organizzazione di memoria 1M x 8 1M x 8 1M x 8 1M x 8
Contenitore dispositivo fornitore 8-USON (2x3) 8-SOP 8-USON (2x3) 8-SOP
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 70µs, 2ms 70µs, 2ms 50µs, 2.4ms 50µs, 2.4ms
Numero di prodotto di base GD25Q80 GD25Q80 GD25Q80 GD25Q80
Tempo di accesso 7 ns 7 ns - -
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Dimensione della memoria 8Mbit 8Mbit 8Mbit 8Mbit
Frequenza dell'orologio 133 MHz 133 MHz 120 MHz 120 MHz
Tipo di memoria Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O

GD25Q80EEIGR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica GD25Q80EEIGR PDF e la documentazione GigaDevice Semiconductor (HK) Limited per GD25Q80EEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited.

Schede tecniche
Product Selection Guide 2023.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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