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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNDH8304P
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NDH8304P - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
NDH8304P
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-NDH8304P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Scheda dati
NDH8304P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 54900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NDH8304P
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - NDH8304P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - NDH8304P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 2.7A, 4.5V  
Potenza - Max 800mW  
Contenitore / involucro 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NDH8304  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor NDH8304P

Proprietà del prodotto NDH8304P IRF9952PBF SQ9945AEY-T1-E3 NDH8502P
Modello di prodotti NDH8304P IRF9952PBF SQ9945AEY-T1-E3 NDH8502P
fabbricante Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-8 8-SO 8-SOIC SuperSOT™-8
Contenitore / involucro 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Potenza - Max 800mW 2W 2.4W 800mW (Ta)
Serie - HEXFET® TrenchFET® -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 2.7A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 10V 80mOhm @ 3.7A, 10V 110mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base NDH8304 IRF995 SQ9945 NDH8502
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 10V 190pF @ 15V - 340pF @ 15V
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 60V 30V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Configurazione 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A 3.5A, 2.3A 3.7A 2.2A (Ta)
Pacchetto Bulk Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V 14nC @ 10V 20nC @ 10V 14.5nC @ 10V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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