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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNDH8304P
NDH8304P Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NDH8304P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NDH8304P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NDH8304P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A SSOT8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Scheda dati
NDH8304P.pdf
In magazzino: 4580

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NDH8304P
Specifiche tecniche onsemi - NDH8304P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NDH8304P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 2.7A, 4.5V  
Potenza - Max 800mW  
Contenitore / involucro 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NDH8304  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NDH8304P

Proprietà del prodotto NDH8304P IRF7380QTRPBF DMC4015SSD-13 NDH8502P
Modello di prodotti NDH8304P IRF7380QTRPBF DMC4015SSD-13 NDH8502P
fabbricante onsemi Infineon Technologies Diodes Incorporated Fairchild Semiconductor
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V 23nC @ 10V 40nC @ 10V 14.5nC @ 10V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Contenitore / involucro 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Potenza - Max 800mW 2W 1.2W 800mW (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 80V 40V 30V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 10V 660pF @ 25V 1810pF @ 20V 340pF @ 15V
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Bulk
Numero di prodotto di base NDH8304 IRF7380 DMC4015 NDH8502
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A 3.6A 8.6A, 6.2A 2.2A (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-8 8-SO 8-SO SuperSOT™-8
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 2.7A, 4.5V 73mOhm @ 2.2A, 10V 15mOhm @ 3A, 10V 110mOhm @ 2.2A, 10V

NDH8304P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NDH8304P PDF e la documentazione onsemi per NDH8304P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NDH8304P.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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