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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDW2507N
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDW2507N - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDW2507N
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDW2507N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Pacchetto
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
FDW2507N.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 58160

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDW2507N
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDW2507N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDW2507N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 7.5A, 4.5V  
Potenza - Max 1.1W  
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2152pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDW25  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDW2507N

Proprietà del prodotto FDW2507N FDW2509NZ FDW2508P FDW2507NZ
Modello di prodotti FDW2507N FDW2509NZ FDW2508P FDW2507NZ
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 1.1W 1.1W (Ta) 1W 1.1W
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2152pF @ 10V 1263pF @ 10V 2644pF @ 6V 2152pF @ 10V
Numero di prodotto di base FDW25 FDW25 FDW25 FDW25
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 12V 20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 7.5A, 4.5V 20mOhm @ 7.1A, 4.5V 18mOhm @ 6A, 4.5V 19mOhm @ 7.5A, 4.5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A 7.1A (Ta) 6A 7.5A
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V 19nC @ 4.5V 36nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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