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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDW2507NZ
FDW2507NZ Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDW2507NZ - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDW2507NZ
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDW2507NZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
Pacchetto
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
FDW2507NZ.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4870

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDW2507NZ
Specifiche tecniche onsemi - FDW2507NZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDW2507NZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 7.5A, 4.5V  
Potenza - Max 1.1W  
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2152pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDW25  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDW2507NZ

Proprietà del prodotto FDW2507NZ FDW2506P FDW2508PB FDW2507N
Modello di prodotti FDW2507NZ FDW2506P FDW2508PB FDW2507N
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Potenza - Max 1.1W 600mW 1W 1.1W
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A 5.3A 6A 7.5A
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numero di prodotto di base FDW25 FDW25 FDW25 FDW25
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 7.5A, 4.5V 22mOhm @ 5.3A, 4.5V 18mOhm @ 6A, 4.5V 19mOhm @ 7.5A, 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2152pF @ 10V 1015pF @ 10V 3775pF @ 6V 2152pF @ 10V
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 12V 20V
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V 34nC @ 4.5V 45nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDW2507NZ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDW2507NZ PDF e la documentazione onsemi per FDW2507NZ - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FDW2507NZ.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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