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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDW2506P
FDW2506P Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDW2506P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDW2506P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDW2506P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-TSSO
Pacchetto
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
FDW2506P.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 5250

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDW2506P
Specifiche tecniche onsemi - FDW2506P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDW2506P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 5.3A, 4.5V  
Potenza - Max 600mW  
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1015pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDW25  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDW2506P

Proprietà del prodotto FDW2506P FDW2507N FDW2507NZ FDW2507N
Modello di prodotti FDW2506P FDW2507N FDW2507NZ FDW2507N
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A 7.5A 7.5A 7.5A
Numero di prodotto di base FDW25 FDW25 FDW25 FDW25
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 5.3A, 4.5V 19mOhm @ 7.5A, 4.5V 19mOhm @ 7.5A, 4.5V 19mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1015pF @ 10V 2152pF @ 10V 2152pF @ 10V 2152pF @ 10V
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Potenza - Max 600mW 1.1W 1.1W 1.1W

FDW2506P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDW2506P PDF e la documentazione onsemi per FDW2506P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FDW2506P.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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