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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMS8672AS
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS8672AS - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDMS8672AS
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS8672AS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 18A/28A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS8672AS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 49360

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS8672AS
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDMS8672AS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDMS8672AS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 18A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 70W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 28A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDMS8672AS

Proprietà del prodotto FDMS8672AS FDMS8680 FDMS8690 FDMS8674
Modello di prodotti FDMS8672AS FDMS8680 FDMS8690 FDMS8674
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 15 V 1590 pF @ 15 V 1680 pF @ 15 V 2320 pF @ 15 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 70W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 37.8W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 28A (Tc) 14A (Ta), 35A (Tc) 14A (Ta), 27A (Tc) 17A (Ta), 21A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-MLP (5x6), Power56 8-PQFN (5x6)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 18A, 10V 7mOhm @ 14A, 10V 9mOhm @ 14A, 10V 5mOhm @ 17A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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