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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMS8670AS
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS8670AS - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMS8670AS
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS8670AS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS8670AS.pdf
In magazzino: 5360

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS8670AS
Specifiche tecniche onsemi - FDMS8670AS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMS8670AS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 23A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3615 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 42A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDMS86  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMS8670AS

Proprietà del prodotto FDMS8670AS FDMS8670 FDMS8672AS FDMS8672S
Modello di prodotti FDMS8670AS FDMS8670 FDMS8672AS FDMS8672S
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 23A, 10V 2.6mOhm @ 24A, 10V 5mOhm @ 18A, 10V 5mOhm @ 17A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 70W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 42A (Tc) 24A (Ta), 42A (Tc) 18A (Ta), 28A (Tc) 17A (Ta), 35A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3615 pF @ 15 V 3940 pF @ 15 V 2600 pF @ 15 V 2515 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 1mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base FDMS86 FDMS86 - FDMS86
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

FDMS8670AS Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMS8670AS PDF e la documentazione onsemi per FDMS8670AS - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices 17/Apr/2017.pdf
PCN Design/Specifica
Materials 14/Apr/2009.pdf
Schede tecniche
FDMS8670AS.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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