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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMS8670AS
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS8670AS - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDMS8670AS
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS8670AS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS8670AS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 34100

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS8670AS
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDMS8670AS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDMS8670AS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 23A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3615 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 42A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDMS8670AS

Proprietà del prodotto FDMS8670AS FDMS8670AS FDMS8660S FDMS8662
Modello di prodotti FDMS8670AS FDMS8670AS FDMS8660S FDMS8662
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 113 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3615 pF @ 15 V 3615 pF @ 15 V 4345 pF @ 15 V 6420 pF @ 15 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 42A (Tc) 23A (Ta), 42A (Tc) 25A (Ta), 40A (Tc) 28A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 23A, 10V 3mOhm @ 23A, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V 2mOhm @ 28A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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