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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMC8588
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMC8588 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDMC8588
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMC8588
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMC8588.pdf
In magazzino: 4620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMC8588
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDMC8588, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDMC8588

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Power33  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 17A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 26W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1228 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16.5A (Ta), 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDMC85  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDMC8588

Proprietà del prodotto FDMC8588 FDMC86102L FDMC8327L FDMC8462
Modello di prodotti FDMC8588 FDMC86102L FDMC8327L FDMC8462
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1228 pF @ 13 V 1330 pF @ 50 V 1850 pF @ 20 V 2660 pF @ 20 V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 100 V 40 V 40 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base FDMC85 FDMC86102 FDMC8327 FDMC84
Contenitore dispositivo fornitore Power33 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) Power33
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16.5A (Ta), 40A (Tc) 7A (Ta), 18A (Tc) 12A (Ta), 14A (Tc) 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 17A, 10V 23mOhm @ 7A, 10V 9.7mOhm @ 12A, 10V 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 26W (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 2.3W (Ta), 30W (Tc) 2W (Ta), 41W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 22 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN
Vgs (th) (max) a Id 1.8V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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Europa Germania 5
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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