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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMC86012
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMC86012 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMC86012
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMC86012
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerWDFN
Scheda dati
FDMC86012.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 14878

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMC86012
Specifiche tecniche onsemi - FDMC86012, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMC86012

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Power33  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7mOhm @ 23A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 54W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5075 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDMC86  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMC86012

Proprietà del prodotto FDMC86012 FDMC86116LZ FDMC86102LZ FDMC8588A
Modello di prodotti FDMC86012 FDMC86116LZ FDMC86102LZ FDMC8588A
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5075 pF @ 15 V 310 pF @ 50 V 1290 pF @ 50 V 1720 pF @ 13 V
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 54W (Tc) 2.3W (Ta), 19W (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 2.4W (Ta), 26W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base FDMC86 FDMC86116 FDMC86102 -
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 4.5 V 6 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta) 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) 7A (Ta), 18A (Tc) 16.5A (Ta), 40A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Contenitore dispositivo fornitore Power33 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) Power33
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 100 V 100 V 25 V
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7mOhm @ 23A, 4.5V 103mOhm @ 3.3A, 10V 24mOhm @ 6.5A, 10V 5mOhm @ 17A, 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® -

FDMC86012 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMC86012 PDF e la documentazione onsemi per FDMC86012 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf
Schede tecniche
FDMC86012.pdf

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America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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