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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMC86102
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMC86102 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMC86102
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMC86102
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMC86102.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 44234

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMC86102
Specifiche tecniche onsemi - FDMC86102, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMC86102

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Power33  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 41W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 965 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta), 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDMC86  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMC86102

Proprietà del prodotto FDMC86102 FDMC86116LZ FDMC8588DC FDMC8588
Modello di prodotti FDMC86102 FDMC86116LZ FDMC8588DC FDMC8588
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±12V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore Power33 8-MLP (3.3x3.3) 8-PQFN (3.3x3.3) Power33
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 2.3W (Ta), 19W (Tc) 3W (Ta), 41W (Tc) 2.4W (Ta), 26W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta), 20A (Tc) 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) 17A (Ta), 40A (Tc) 16.5A (Ta), 40A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 25 V 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V 103mOhm @ 3.3A, 10V 5mOhm @ 18A, 10V 5mOhm @ 17A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 965 pF @ 50 V 310 pF @ 50 V 1695 pF @ 13 V 1228 pF @ 13 V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Numero di prodotto di base FDMC86 FDMC86116 - FDMC85

FDMC86102 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMC86102 PDF e la documentazione onsemi per FDMC86102 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014.pdf
Schede tecniche
FDMC86102.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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