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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDJ129P
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDJ129P - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDJ129P
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDJ129P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 FLMP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-75-6 FLMP
Scheda dati
FDJ129P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 62050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDJ129P
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDJ129P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDJ129P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC75-6 FLMP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 4.2A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta)  
Contenitore / involucro SC-75-6 FLMP  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDJ129P

Proprietà del prodotto FDJ129P FDJ127P HUF75321D3S FDJ128N
Modello di prodotti FDJ129P FDJ127P HUF75321D3S FDJ128N
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Caratteristica FET - - - -
Serie PowerTrench® PowerTrench® UltraFET™ PowerTrench®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 10 V 780 pF @ 10 V 680 pF @ 25 V 543 pF @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 4.2A, 4.5V 60mOhm @ 4.1A, 4.5V 36mOhm @ 20A, 10V 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 55 V 20 V
Vgs (Max) ±12V ±8V ±20V ±12V
Contenitore dispositivo fornitore SC75-6 FLMP SC75-6 FLMP TO-252, (D-Pak) SC75-6 FLMP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta) 4.1A (Ta) 20A (Tc) 5.5A (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro SC-75-6 FLMP SC-75-6 FLMP TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SC-75-6 FLMP
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 93W (Tc) 1.6W (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 10V 2.5V, 4.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 44 nC @ 20 V 8 nC @ 5 V
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 4V @ 250µA 1.5V @ 250µA

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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