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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDJ1032C
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDJ1032C - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDJ1032C
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDJ1032C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-75-6 FLMP
Scheda dati
FDJ1032C.pdf
In magazzino: 4220

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDJ1032C
Specifiche tecniche onsemi - FDJ1032C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDJ1032C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC75-6 FLMP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 3.2A, 4.5V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro SC-75-6 FLMP  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A, 2.8A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base FDJ1032  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDJ1032C

Proprietà del prodotto FDJ1032C FDJ1028N DMN4031SSD-13 FDJ1027P
Modello di prodotti FDJ1032C FDJ1028N DMN4031SSD-13 FDJ1027P
fabbricante onsemi onsemi Diodes Incorporated onsemi
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore dispositivo fornitore SC75-6 FLMP SC75-6 FLMP 8-SO SC75-6 FLMP
Potenza - Max 900mW 1.5W 1.42W 900mW
Contenitore / involucro SC-75-6 FLMP SC-75-6 FLMP 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SC-75-6 FLMP
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 3.2A, 4.5V 90mOhm @ 3.2A, 4.5V 31mOhm @ 6A, 10V 160mOhm @ 2.8A, 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A, 2.8A 3.2A 5.2A 2.8A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® - PowerTrench®
Numero di prodotto di base FDJ1032 FDJ1028 DMN4031 FDJ1027
Configurazione N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V 18.6nC @ 10V 4nC @ 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 40V 20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 10V 200pF @ 10V 945pF @ 20V 290pF @ 10V

FDJ1032C Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDJ1032C PDF e la documentazione onsemi per FDJ1032C - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 14/Mar/2011.pdf
PCN Design/Specifica
Mold Compound 27/March/2008.pdf
Schede tecniche
FDJ1032C.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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