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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDJ1028N
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDJ1028N - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDJ1028N
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDJ1028N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-75-6 FLMP
Scheda dati
FDJ1028N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 123400

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDJ1028N
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDJ1028N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDJ1028N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC75-6 FLMP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 3.2A, 4.5V  
Potenza - Max 1.5W  
Contenitore / involucro SC-75-6 FLMP  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDJ1028  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDJ1028N

Proprietà del prodotto FDJ1028N FMM300-0055P IRF7307TRPBF FDJ1027P
Modello di prodotti FDJ1028N FMM300-0055P IRF7307TRPBF FDJ1027P
fabbricante Fairchild Semiconductor IXYS Infineon Technologies Fairchild Semiconductor
Tensione drain-source (Vdss) 20V 55V 20V 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 10V - 660pF @ 15V 290pF @ 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie PowerTrench® - HEXFET® PowerTrench®
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 4V @ 2mA 700mV @ 250µA 1.5V @ 250µA
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Numero di prodotto di base FDJ1028 FMM IRF73 FDJ1027
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 3.2A, 4.5V 3.6mOhm @ 150A, 10V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V 160mOhm @ 2.8A, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro SC-75-6 FLMP i4-Pac™-5 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SC-75-6 FLMP
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 1.5W - 2W 900mW
Pacchetto Bulk Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Contenitore dispositivo fornitore SC75-6 FLMP ISOPLUS i4-PAC™ 8-SO SC75-6 FLMP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A 300A 5.2A, 4.3A 2.8A
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V 172nC @ 10V 20nC @ 4.5V 4nC @ 4.5V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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