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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCH170N60
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FCH170N60 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FCH170N60
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FCH170N60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
FCH170N60.pdf
In magazzino: 10564

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FCH170N60
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FCH170N60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FCH170N60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247  
Serie SuperFET® II  
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 11A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2860 pF @ 380 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FCH170N60

Proprietà del prodotto FCH170N60 FCH165N60E FCH150N65F-F155 FCH165N65S3R0-F155
Modello di prodotti FCH170N60 FCH165N60E FCH150N65F-F155 FCH165N65S3R0-F155
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc) 227W (Tc) 298W (Tc) 154W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 11A, 10V 165mOhm @ 11.5A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V
Pacchetto Bulk Tube Tube Tube
Serie SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® III
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2860 pF @ 380 V 2434 pF @ 380 V 3737 pF @ 100 V 1500 pF @ 400 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 5V @ 2.4mA 4.5V @ 1.9mA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 650 V 650 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc) 23A (Tc) 24A (Tc) 19A (Tc)

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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