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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCH170N60
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FCH170N60 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FCH170N60
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FCH170N60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
FCH170N60.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 13715

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FCH170N60
Specifiche tecniche onsemi - FCH170N60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FCH170N60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie SuperFET® II  
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 11A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2860 pF @ 380 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)  
Numero di prodotto di base FCH170  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FCH170N60

Proprietà del prodotto FCH170N60 FCH150N65F-F155 FCH165N65S3R0-F155 FCH190N65F-F155
Modello di prodotti FCH170N60 FCH150N65F-F155 FCH165N65S3R0-F155 FCH190N65F-F155
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 11A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V 190mOhm @ 10A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base FCH170 FCH150 FCH165 FCH190
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247 Long Leads TO-247-3 TO-247-3
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 650 V 650 V 650 V
Serie SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® III FRFET®, SuperFET® II
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2860 pF @ 380 V 3737 pF @ 100 V 1500 pF @ 400 V 3225 pF @ 100 V
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc) 298W (Tc) 154W (Tc) 208W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA 5V @ 2.4mA 4.5V @ 1.9mA 5V @ 2mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc) 24A (Tc) 19A (Tc) 20.6A (Tc)

FCH170N60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FCH170N60 PDF e la documentazione onsemi per FCH170N60 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mold Compound Change 17/Dec/2021.pdf
Schede tecniche
FCH170N60.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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