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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCH165N65S3R0-F155
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FCH165N65S3R0-F155 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FCH165N65S3R0-F155
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FCH165N65S3R0-F155
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
FCH165N65S3R0-F155.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9016

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FCH165N65S3R0-F155
Specifiche tecniche onsemi - FCH165N65S3R0-F155, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FCH165N65S3R0-F155

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1.9mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie SuperFET® III  
Rds On (max) a Id, Vgs 165mOhm @ 9.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 154W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)  
Numero di prodotto di base FCH165  

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Proprietà del prodotto FCH165N65S3R0-F155 FCH150N65F-F155 FCH150N65F-F155 FCH130N60
Modello di prodotti FCH165N65S3R0-F155 FCH150N65F-F155 FCH150N65F-F155 FCH130N60
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Dissipazione di potenza (max) 154W (Tc) 298W (Tc) 298W (Tc) 278W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Bulk Bulk
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V 3737 pF @ 100 V 3737 pF @ 100 V 3590 pF @ 380 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247 Long Leads TO-247
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc) 24A (Tc) 24A (Tc) 28A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 165mOhm @ 9.5A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V 130mOhm @ 14A, 10V
Numero di prodotto di base FCH165 FCH150 FCH150 -
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 650 V 650 V 600 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1.9mA 5V @ 2.4mA 5V @ 2.4mA 3.5V @ 250µA
Serie SuperFET® III SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II

FCH165N65S3R0-F155 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FCH165N65S3R0-F155 PDF e la documentazione onsemi per FCH165N65S3R0-F155 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Packaging PCN
Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
FCH165N65S3R0-F155.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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