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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCH041N65EFL4
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FCH041N65EFL4 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FCH041N65EFL4
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FCH041N65EFL4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-4
Scheda dati
FCH041N65EFL4.pdf
In magazzino: 4295

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FCH041N65EFL4
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FCH041N65EFL4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FCH041N65EFL4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 7.6mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-4  
Serie FRFET®, SuperFET® II  
Rds On (max) a Id, Vgs 41mOhm @ 38A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 595W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-4  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12560 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 298 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 76A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FCH041N65EFL4

Proprietà del prodotto FCH041N65EFL4 FCH041N65F-F155 FCH060N80-F155 FCH041N60F-F085
Modello di prodotti FCH041N65EFL4 FCH041N65F-F155 FCH060N80-F155 FCH041N60F-F085
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Serie FRFET®, SuperFET® II FRFET®, SuperFET® II SuperFET® II Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
Dissipazione di potenza (max) 595W (Tc) 595W (Tc) 500W (Tc) 595W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 298 nC @ 10 V 294 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 347 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12560 pF @ 100 V 13020 pF @ 100 V 14685 pF @ 100 V 10900 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 76A (Tc) 76A (Tc) 56A (Tc) 76A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 41mOhm @ 38A, 10V 41mOhm @ 38A, 10V 60mOhm @ 29A, 10V 41mOhm @ 38A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 650 V 800 V 600 V
Pacchetto Bulk Tube Bulk Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 7.6mA 5V @ 7.6mA 4.5V @ 5.8mA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

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America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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