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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCH041N60F-F085
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FCH041N60F-F085 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FCH041N60F-F085
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FCH041N60F-F085
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
FCH041N60F-F085.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4662

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FCH041N60F-F085
Specifiche tecniche onsemi - FCH041N60F-F085, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FCH041N60F-F085

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II  
Rds On (max) a Id, Vgs 41mOhm @ 38A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 595W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 347 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 76A (Tc)  
Numero di prodotto di base FCH041  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FCH041N60F-F085

Proprietà del prodotto FCH041N60F-F085 FCH043N60 FCH023N65S3-F155 FCH041N60E
Modello di prodotti FCH041N60F-F085 FCH043N60 FCH023N65S3-F155 FCH041N60E
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® III SuperFET® II
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10900 pF @ 25 V 12225 pF @ 400 V 7160 pF @ 400 V 13700 pF @ 100 V
Dissipazione di potenza (max) 595W (Tc) 592W (Tc) 595W (Tc) 592W (Tc)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 7.5mA 3.5V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 650 V 600 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 76A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 77A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 347 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 222 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Bulk Tube Bulk
Rds On (max) a Id, Vgs 41mOhm @ 38A, 10V 43mOhm @ 38A, 10V 23mOhm @ 37.5A, 10V 41mOhm @ 39A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base FCH041 - FCH023 -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

FCH041N60F-F085 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FCH041N60F-F085 PDF e la documentazione onsemi per FCH041N60F-F085 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Mult Dev Datasheet Chg 20/Dec/2019.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 25/Jun/2021.pdf
Numero parte PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
Schede tecniche
FCH041N60F-F085.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 27/Dec/2019.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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