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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCH040N65S3-F155
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FCH040N65S3-F155 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FCH040N65S3-F155
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FCH040N65S3-F155
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
FCH040N65S3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3436

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FCH040N65S3-F155
Specifiche tecniche onsemi - FCH040N65S3-F155, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FCH040N65S3-F155

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 6.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie SuperFET® III  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 32.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 417W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4740 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 136 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)  
Numero di prodotto di base FCH040  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FCH040N65S3-F155

Proprietà del prodotto FCH040N65S3-F155 FCH041N60F-F085 FCH041N60E FCH041N65EFL4
Modello di prodotti FCH040N65S3-F155 FCH041N60F-F085 FCH041N60E FCH041N65EFL4
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 600 V 600 V 650 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 65A (Tc) 76A (Tc) 77A (Tc) 76A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4740 pF @ 400 V 10900 pF @ 25 V 13700 pF @ 100 V 12560 pF @ 100 V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 6.5mA 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 5V @ 7.6mA
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 32.5A, 10V 41mOhm @ 38A, 10V 41mOhm @ 39A, 10V 41mOhm @ 38A, 10V
Numero di prodotto di base FCH040 FCH041 - FCH041
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Dissipazione di potenza (max) 417W (Tc) 595W (Tc) 592W (Tc) 595W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie SuperFET® III Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II SuperFET® II FRFET®, SuperFET® II
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 136 nC @ 10 V 347 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 298 nC @ 10 V

FCH040N65S3-F155 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FCH040N65S3-F155 PDF e la documentazione onsemi per FCH040N65S3-F155 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Numero parte PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN Design/Specifica
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
FCH040N65S3.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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