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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZXMN6A25KTC
ZXMN6A25KTC Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMN6A25KTC - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMN6A25KTC
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMN6A25KTC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
ZXMN6A25K.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 97110

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMN6A25KTC
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMN6A25KTC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMN6A25KTC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 3.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.11W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1063 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta)  
Numero di prodotto di base ZXMN6  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMN6A25KTC

Proprietà del prodotto ZXMN6A25KTC ZXMN6A25G ZXMN6A11ZTA ZXMN7A11GQTA
Modello di prodotti ZXMN6A25KTC ZXMN6A25G ZXMN6A11ZTA ZXMN7A11GQTA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20.4 nC @ 10 V 20.4 nC @ 10 V 5.7 nC @ 10 V 7.4 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6 -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-3 SOT-223-3 SOT-89-3 SOT-223
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 3.6A, 10V 50mOhm @ 3.6A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V 130mOhm @ 4.4A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta) 4.8A (Ta) 2.7A (Ta) 2.7A (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 70 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1063 pF @ 30 V 1063 pF @ 30 V 330 pF @ 40 V 298 pF @ 50 V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA TO-243AA TO-261-4, TO-261AA
Dissipazione di potenza (max) 2.11W (Ta) 2W (Ta) 1.5W (Ta) 2W (Ta)

ZXMN6A25KTC Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMN6A25KTC PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMN6A25KTC - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Altro
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
Schede tecniche
ZXMN6A25K.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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