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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZXMN6A25GTA
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMN6A25GTA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMN6A25GTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMN6A25GTA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
ZXMN6A25G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 72160

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMN6A25GTA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMN6A25GTA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMN6A25GTA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 3.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1063 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.8A (Ta)  
Numero di prodotto di base ZXMN6  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMN6A25GTA

Proprietà del prodotto ZXMN6A25GTA ZXMN6A25K ZXMN6A11ZTA ZXMN6A11GTA
Modello di prodotti ZXMN6A25GTA ZXMN6A25K ZXMN6A11ZTA ZXMN6A11GTA
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numero di prodotto di base ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.8A (Ta) 7A (Ta) 2.7A (Ta) 3.1A (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20.4 nC @ 10 V 20.4 nC @ 10 V 5.7 nC @ 10 V 5.7 nC @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1063 pF @ 30 V 1063 pF @ 30 V 330 pF @ 40 V 330 pF @ 40 V
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 2.11W (Ta) 1.5W (Ta) 2W (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-243AA TO-261-4, TO-261AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-3 TO-252-3 SOT-89-3 SOT-223-3
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 3.6A, 10V 50mOhm @ 3.6A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

ZXMN6A25GTA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMN6A25GTA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMN6A25GTA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Schede tecniche
ZXMN6A25G.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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