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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloZXMN6A11ZTA
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ZXMN6A11ZTA - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
ZXMN6A11ZTA
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-ZXMN6A11ZTA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-243AA
Scheda dati
ZXMN6A11Z.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 91840

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ZXMN6A11ZTA
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - ZXMN6A11ZTA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - ZXMN6A11ZTA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-89-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-243AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base ZXMN6  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated ZXMN6A11ZTA

Proprietà del prodotto ZXMN6A11ZTA ZXMN6A25G ZXMN6A11GTA ZXMN6A25KTC
Modello di prodotti ZXMN6A11ZTA ZXMN6A25G ZXMN6A11GTA ZXMN6A25KTC
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V 50mOhm @ 3.6A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V 50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 40 V 1063 pF @ 30 V 330 pF @ 40 V 1063 pF @ 30 V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta) 4.8A (Ta) 3.1A (Ta) 7A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore / involucro TO-243AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2.11W (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-89-3 SOT-223-3 SOT-223-3 TO-252-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 10 V 20.4 nC @ 10 V 5.7 nC @ 10 V 20.4 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

ZXMN6A11ZTA Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ZXMN6A11ZTA PDF e la documentazione Diodes Incorporated per ZXMN6A11ZTA - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Altro
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
ZXMN6A11Z.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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