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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMP6110SSDQ-13
DMP6110SSDQ-13 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMP6110SSDQ-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMP6110SSDQ-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMP6110SSDQ-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
DMP6110SSDQ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 152780

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMP6110SSDQ-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMP6110SSDQ-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMP6110SSDQ-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 969 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.2 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A (Tc)  
Numero di prodotto di base DMP6110  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMP6110SSDQ-13

Proprietà del prodotto DMP6110SSDQ-13 DMP6110SSS-13 DMP6180SK3-13 DMP610DL-7
Modello di prodotti DMP6110SSDQ-13 DMP6110SSS-13 DMP6180SK3-13 DMP610DL-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 4.5A, 10V 110mOhm @ 4.5A, 10V 110mOhm @ 12A, 10V 10Ohm @ 100mA, 5V
Numero di prodotto di base DMP6110 DMP6110 DMP6180 DMP610
Caratteristica FET - - - -
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA 2V @ 1mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A (Tc) 4.5A (Ta) 14A (Tc) 180mA (Ta)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.2 nC @ 10 V 19.4 nC @ 10 V 17.1 nC @ 10 V 0.56 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Dissipazione di potenza (max) 1.2W (Ta) 1.5W (Ta) 1.7W (Ta) 310mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO TO-252-3 SOT-23-3
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 969 pF @ 30 V 1030 pF @ 30 V 984.7 pF @ 30 V 24.6 pF @ 25 V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

DMP6110SSDQ-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMP6110SSDQ-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMP6110SSDQ-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
DMP6110SSDQ.pdf

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Europa Germania 5
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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