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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMP610DL-7
DMP610DL-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMP610DL-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMP610DL-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMP610DL-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
DMP610DL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 912900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMP610DL-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMP610DL-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMP610DL-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 310mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 24.6 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.56 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180mA (Ta)  
Numero di prodotto di base DMP610  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMP610DL-7

Proprietà del prodotto DMP610DL-7 DMP6110SSS-13 DMP6023LFGQ-13 DMP6023LFGQ-7
Modello di prodotti DMP610DL-7 DMP6110SSS-13 DMP6023LFGQ-13 DMP6023LFGQ-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180mA (Ta) 4.5A (Ta) 7.7A (Ta) 7.7A (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.56 nC @ 10 V 19.4 nC @ 10 V 53.1 nC @ 10 V 53.1 nC @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base DMP610 DMP6110 DMP6023 DMP6023
Rds On (max) a Id, Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V 110mOhm @ 4.5A, 10V 25mOhm @ 5A, 10V 25mOhm @ 5A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 8-SO POWERDI3333-8 POWERDI3333-8
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 24.6 pF @ 25 V 1030 pF @ 30 V 2569 pF @ 30 V 2569 pF @ 30 V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Dissipazione di potenza (max) 310mW (Ta) 1.5W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
Serie - - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101

DMP610DL-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMP610DL-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMP610DL-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Schede tecniche
DMP610DL.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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