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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMP6050SPS-13
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMP6050SPS-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMP6050SPS-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMP6050SPS-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
DMP6050SPS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 106680

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMP6050SPS-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMP6050SPS-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMP6050SPS-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI5060-8  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.3W  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2163 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base DMP6050  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMP6050SPS-13

Proprietà del prodotto DMP6050SPS-13 DMP6110SSDQ-13 DMP6023LEQ-13 DMP6023LFGQ-13
Modello di prodotti DMP6050SPS-13 DMP6110SSDQ-13 DMP6023LEQ-13 DMP6023LFGQ-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Dissipazione di potenza (max) 1.3W 1.2W (Ta) 2W (Ta), 17.3W (Tc) 1W (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 5A, 10V 105mOhm @ 4.5A, 10V 28mOhm @ 5A, 10V 25mOhm @ 5A, 10V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-261-4, TO-261AA 8-PowerVDFN
Contenitore dispositivo fornitore PowerDI5060-8 8-SO SOT-223-3 POWERDI3333-8
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2163 pF @ 30 V 969 pF @ 30 V 2569 pF @ 30 V 2569 pF @ 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base DMP6050 DMP6110 DMP6023 DMP6023
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 17.2 nC @ 10 V 53.1 nC @ 10 V 53.1 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta) 7.8A (Tc) 7A (Ta), 18.2A (Tc) 7.7A (Ta)

DMP6050SPS-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMP6050SPS-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMP6050SPS-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 05/Dec/2019.pdf
Schede tecniche
DMP6050SPS.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
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Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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