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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMP2200UFCL-7
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMP2200UFCL-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMP2200UFCL-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMP2200UFCL-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 8V~24V U-DFN1616-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-UFDFN Exposed Pad
Scheda dati
DMP2200UFCL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 329850

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMP2200UFCL-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMP2200UFCL-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMP2200UFCL-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN1616-6  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 2A, 4.5V  
Potenza - Max 660mW  
Contenitore / involucro 6-UFDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 184pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMP2200  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMP2200UFCL-7

Proprietà del prodotto DMP2200UFCL-7 DMP2200UDW-7 DMP2200UDW-13 DMP21D5UFD-7
Modello di prodotti DMP2200UFCL-7 DMP2200UDW-7 DMP2200UDW-13 DMP21D5UFD-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 184pF @ 10V 184pF @ 10V 184pF @ 10V 46.1 pF @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 2A, 4.5V 260mOhm @ 880mA, 4.5V 260mOhm @ 880mA, 4.5V 1Ohm @ 100mA, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) -
Contenitore / involucro 6-UFDFN Exposed Pad 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 3-UDFN
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V 2.1nC @ 4.5V 2.1nC @ 4.5V 0.8 nC @ 8 V
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Numero di prodotto di base DMP2200 DMP2200 DMP2200 DMP21
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20 V
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN1616-6 SOT-363 SOT-363 X1-DFN1212-3
Potenza - Max 660mW 450mW 450mW -
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A 900mA 900mA 600mA (Ta)

DMP2200UFCL-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMP2200UFCL-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMP2200UFCL-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Schede tecniche
DMP2200UFCL.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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