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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMP2200UDW-13
DMP2200UDW-13 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMP2200UDW-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMP2200UDW-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMP2200UDW-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
DMP2200UDW.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 427600

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMP2200UDW-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMP2200UDW-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMP2200UDW-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V  
Potenza - Max 450mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 184pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 900mA  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMP2200  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMP2200UDW-13

Proprietà del prodotto DMP2200UDW-13 DMP2200UFCL-7 DMP2200UDW-7 DMP2225
Modello di prodotti DMP2200UDW-13 DMP2200UFCL-7 DMP2200UDW-7 DMP2225
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated MSV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 900mA 1.7A 900mA -
Potenza - Max 450mW 660mW 450mW -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V 2.1nC @ 4.5V -
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) -
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA -
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
Numero di prodotto di base DMP2200 DMP2200 DMP2200 -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-363 U-DFN1616-6 SOT-363 -
Rds On (max) a Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V 200mOhm @ 2A, 4.5V 260mOhm @ 880mA, 4.5V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-UFDFN Exposed Pad 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 184pF @ 10V 184pF @ 10V 184pF @ 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V -

DMP2200UDW-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMP2200UDW-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMP2200UDW-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
DMP2200UDW.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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