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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMP21D5UFD-7
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMP21D5UFD-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMP21D5UFD-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMP21D5UFD-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-UDFN
Scheda dati
DMP21D5UFD.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4670

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMP21D5UFD-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMP21D5UFD-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMP21D5UFD-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore X1-DFN1212-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 100mA, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta)  
Contenitore / involucro 3-UDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 46.1 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 8 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta)  
Numero di prodotto di base DMP21  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMP21D5UFD-7

Proprietà del prodotto DMP21D5UFD-7 DMP21D0UFD-7 DMP21D0UT-7 DMP21D2UFA-7B
Modello di prodotti DMP21D5UFD-7 DMP21D0UFD-7 DMP21D0UT-7 DMP21D2UFA-7B
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta) 490mW (Ta) 240mW (Ta) 360mW (Ta)
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta) 820mA (Ta) 590mA (Ta) 330mA (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 8 V 3 nC @ 4.5 V 1.54 nC @ 8 V 0.8 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 46.1 pF @ 10 V 80 pF @ 10 V 80 pF @ 10 V 49 pF @ 15 V
Contenitore / involucro 3-UDFN 3-UDFN SOT-523 3-XFDFN
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 700mV @ 250µA (Typ) 1V @ 250µA
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Numero di prodotto di base DMP21 DMP21 DMP21 DMP21
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore X1-DFN1212-3 X1-DFN1212-3 SOT-523 X2-DFN0806-3
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 100mA, 4.5V 495mOhm @ 800mA, 4.5V 495mOhm @ 400mA, 4.5V 1Ohm @ 200mA, 4.5V

DMP21D5UFD-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMP21D5UFD-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMP21D5UFD-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018.pdf
Schede tecniche
DMP21D5UFD.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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