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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMN601DMK-7
DMN601DMK-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN601DMK-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN601DMK-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN601DMK-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6
Scheda dati
DMN601DMK.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 176900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN601DMK-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN601DMK-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN601DMK-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-26  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4Ohm @ 200mA, 10V  
Potenza - Max 700mW  
Contenitore / involucro SOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.304nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 510mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMN601  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN601DMK-7

Proprietà del prodotto DMN601DMK-7 DMN5L06VK-7A DMN601DWK-7 DMN5L06VKQ-7
Modello di prodotti DMN601DMK-7 DMN5L06VK-7A DMN601DWK-7 DMN5L06VKQ-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Pacchetto Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Potenza - Max 700mW 250mW 200mW 250mW
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 510mA 280mA (Ta) 305mA 280mA (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.304nC @ 4.5V - - -
Contenitore / involucro SOT-23-6 SOT-563, SOT-666 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-563, SOT-666
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore SOT-26 SOT-563 SOT-363 SOT-563
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4Ohm @ 200mA, 10V 2Ohm @ 50mA, 5V 2Ohm @ 500mA, 10V 2Ohm @ 50mA, 5V
Tensione drain-source (Vdss) 60V 50V 60V 50V
Caratteristica FET Logic Level Gate Standard Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 25V
Numero di prodotto di base DMN601 - DMN601 DMN5L06
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 1.2V @ 250µA 2.5V @ 1mA 1.2V @ 250µA

DMN601DMK-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN601DMK-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN601DMK-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Bond Wire 3/May/2011.pdf Leadframe Material Update 09/Apr/2014.pdf
Schede tecniche
DMN601DMK.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DMN601DMK-7

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