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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMN601K-7
DMN601K-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN601K-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN601K-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN601K-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
DMN601K.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 343250

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN601K-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN601K-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN601K-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)  
Numero di prodotto di base DMN601  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN601K-7

Proprietà del prodotto DMN601K-7 DMN601TK-7 DMN6013LFGQ-13 DMN6013LFG-13
Modello di prodotti DMN601K-7 DMN601TK-7 DMN6013LFGQ-13 DMN6013LFG-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-523 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V 13mOhm @ 10A, 10V 13mOhm @ 10A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base DMN601 DMN601 DMN6013 DMN6013
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 2577 pF @ 30 V 2577 pF @ 30 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta) 150mW (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta) 300mA (Ta) 10.3A (Ta), 45A (Tc) 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-523 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8

DMN601K-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN601K-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN601K-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Bond Wire 3/May/2011.pdf Green Encapsulate 15/May/2008.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Schede tecniche
DMN601K.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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