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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMN5L06VKQ-7
DMN5L06VKQ-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN5L06VKQ-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN5L06VKQ-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN5L06VKQ-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
DMN5L06VKQ-7.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 3850

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN5L06VKQ-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN5L06VKQ-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN5L06VKQ-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V  
Potenza - Max 250mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 50V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 280mA (Ta)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMN5L06  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN5L06VKQ-7

Proprietà del prodotto DMN5L06VKQ-7 DMN601DWK-7 DMN5L06VK-13A DMN601DMK-7
Modello di prodotti DMN5L06VKQ-7 DMN601DWK-7 DMN5L06VK-13A DMN601DMK-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Standard Logic Level Gate
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - - 0.304nC @ 4.5V
Potenza - Max 250mW 200mW 250mW 700mW
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 25V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V 2Ohm @ 500mA, 10V 2Ohm @ 50mA, 5V 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Numero di prodotto di base DMN5L06 DMN601 - DMN601
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 SOT-363 SOT-563 SOT-26
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-563, SOT-666 SOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 280mA (Ta) 305mA 280mA (Ta) 510mA
Tensione drain-source (Vdss) 50V 60V 50V 60V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 2.5V @ 1mA 1.2V @ 250µA 2.5V @ 1mA

DMN5L06VKQ-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN5L06VKQ-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN5L06VKQ-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
OBS NOTICE 29/Aug/2022.pdf
PCN Design/Specifica
DM CAT 20-Mar-2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
DMG/DMN/DMT 02/Mar/2022.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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