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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMN5L06VK-7-G
DMN5L06VK-7-G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN5L06VK-7-G - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN5L06VK-7-G
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN5L06VK-7-G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
DMN5L06VK.pdf
In magazzino: 4400

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN5L06VK-7-G
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN5L06VK-7-G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN5L06VK-7-G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V  
Potenza - Max 250mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 50V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 280mA (Ta)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMN5L06  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN5L06VK-7-G

Proprietà del prodotto DMN5L06VK-7-G DMN5L06VK-7 DMN5L06VK-13A DMN5L06VAK-7
Modello di prodotti DMN5L06VK-7-G DMN5L06VK-7 DMN5L06VK-13A DMN5L06VAK-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 25V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 280mA (Ta) 280mA 280mA (Ta) 280mA
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 SOT-563 SOT-563 SOT-563
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base DMN5L06 DMN5L06 - DMN5L06
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V 2Ohm @ 50mA, 5V 2Ohm @ 50mA, 5V 2Ohm @ 50mA, 5V
Caratteristica FET - Logic Level Gate Standard Logic Level Gate
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Potenza - Max 250mW 250mW 250mW 250mW
Tensione drain-source (Vdss) 50V 50V 50V 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA

DMN5L06VK-7-G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN5L06VK-7-G PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN5L06VK-7-G - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf Mult Dev Reinstate 5/Feb/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
DMN5L06VK.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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