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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciDMN5L06VAK-7
DMN5L06VAK-7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN5L06VAK-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN5L06VAK-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN5L06VAK-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
DMN5/L06VK,VAK/010VAK.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3880

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN5L06VAK-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN5L06VAK-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN5L06VAK-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V  
Potenza - Max 250mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 50V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 280mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base DMN5L06  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN5L06VAK-7

Proprietà del prodotto DMN5L06VAK-7 DMN5L06V-7 DMN5L06VA-7 DMN5L06VK-7-G
Modello di prodotti DMN5L06VAK-7 DMN5L06V-7 DMN5L06VA-7 DMN5L06VK-7-G
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 SOT-563 SOT-563 SOT-563
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Potenza - Max 250mW 150mW 150mW 250mW
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 280mA 280mA 280mA 280mA (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 25V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base DMN5L06 DMN5L06 DMN5L06 DMN5L06
Tensione drain-source (Vdss) 50V 50V 50V 50V
Rds On (max) a Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V 3Ohm @ 200mA, 2.7V 3Ohm @ 200mA, 2.7V 2Ohm @ 50mA, 5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - - -

DMN5L06VAK-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN5L06VAK-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN5L06VAK-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 7/Apr/2021.pdf
PCN Design/Specifica
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 17/Feb/2022.pdf
PCN Altro
Subs 2-17-2023.pdf
Schede tecniche
DMN5/L06VK,VAK/010VAK.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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