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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMN3024LK3-13
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN3024LK3-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN3024LK3-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN3024LK3-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
DMN3024LK3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 132140

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN3024LK3-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN3024LK3-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN3024LK3-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.17W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 608 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.9 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.78A (Ta)  
Numero di prodotto di base DMN3024  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN3024LK3-13

Proprietà del prodotto DMN3024LK3-13 DMN3023L-13 DMN3021LFDF-7 DMN3024SFG-13
Modello di prodotti DMN3024LK3-13 DMN3023L-13 DMN3021LFDF-7 DMN3024SFG-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.78A (Ta) 6.2A (Ta) 11.8A (Ta) 7.5A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±25V
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V 25mOhm @ 4A, 10V 15mOhm @ 7A, 10V 23mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 608 pF @ 15 V 873 pF @ 15 V 706 pF @ 15 V 479 pF @ 15 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 6-UDFN Exposed Pad 8-PowerVDFN
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252-3 SOT-23-3 U-DFN2020-6 (Type F) PowerDI3333-8
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base DMN3024 DMN3023 DMN3021 DMN3024
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.9 nC @ 10 V 18.4 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 1.8V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 2.17W (Ta) 900mW (Ta) 2.03W (Ta) 900mW (Ta)

DMN3024LK3-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN3024LK3-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN3024LK3-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Design/Specifica
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
Schede tecniche
DMN3024LK3.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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