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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMN3020UTS-13
DMN3020UTS-13 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN3020UTS-13 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN3020UTS-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN3020UTS-13
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 15A 8TSSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
DMN3020UTS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 226150

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN3020UTS-13
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN3020UTS-13, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN3020UTS-13

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 4.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.4W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1304 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 8 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Numero di prodotto di base DMN3020  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN3020UTS-13

Proprietà del prodotto DMN3020UTS-13 DMN3020LK3-13 DMN3021LFDF-7 DMN3023L-13
Modello di prodotti DMN3020UTS-13 DMN3020LK3-13 DMN3021LFDF-7 DMN3023L-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 6-UDFN Exposed Pad TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 8 V 6.3 nC @ 4.5 V 14 nC @ 10 V 18.4 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 4.5A, 4.5V 20mOhm @ 7A, 10V 15mOhm @ 7A, 10V 25mOhm @ 4A, 10V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP TO-252-3 U-DFN2020-6 (Type F) SOT-23-3
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 2.2V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 1.4W (Ta) 2.17W (Ta) 2.03W (Ta) 900mW (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 11.3A (Ta) 11.8A (Ta) 6.2A (Ta)
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1304 pF @ 15 V 608 pF @ 15 V 706 pF @ 15 V 873 pF @ 15 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Numero di prodotto di base DMN3020 DMN3020 DMN3021 DMN3023
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

DMN3020UTS-13 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN3020UTS-13 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN3020UTS-13 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
DMN3020UTS.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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