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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMN3020UFDF-7
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN3020UFDF-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN3020UFDF-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN3020UFDF-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-UDFN Exposed Pad
Scheda dati
DMN3020UFDF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 295500

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN3020UFDF-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN3020UFDF-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN3020UFDF-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type F)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 4.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.03W (Ta)  
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1304 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 8 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Numero di prodotto di base DMN3020  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN3020UFDF-7

Proprietà del prodotto DMN3020UFDF-7 DMN3023L-7 DMN3023L-13 DMN3020UTS-13
Modello di prodotti DMN3020UFDF-7 DMN3023L-7 DMN3023L-13 DMN3020UTS-13
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1304 pF @ 15 V 873 pF @ 15 V 873 pF @ 15 V 1304 pF @ 15 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 2.5V, 10V 2.5V, 10V 1.8V, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±12V
Contenitore / involucro 6-UDFN Exposed Pad TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 8 V 18.4 nC @ 10 V 18.4 nC @ 10 V 27 nC @ 8 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base DMN3020 DMN3023 DMN3023 DMN3020
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 4.5A, 4.5V 25mOhm @ 4A, 10V 25mOhm @ 4A, 10V 20mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1V @ 250µA
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 2.03W (Ta) 900mW (Ta) 900mW (Ta) 1.4W (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 6.2A (Ta) 6.2A (Ta) 15A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type F) SOT-23-3 SOT-23-3 8-TSSOP

DMN3020UFDF-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN3020UFDF-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN3020UFDF-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Schede tecniche
DMN3020UFDF.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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