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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloDMN2015UFDE-7
Diodes Incorporated
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DMN2015UFDE-7 - Diodes Incorporated

fabbricante Modello di prodotti
DMN2015UFDE-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Allelco Modello di prodotti
32D-DMN2015UFDE-7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-PowerUDFN
Scheda dati
DMN2015UFDE.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 229160

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Specifiche

Specifiche tecnologiche DMN2015UFDE-7
Specifiche tecniche Diodes Incorporated - DMN2015UFDE-7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Diodes Incorporated - DMN2015UFDE-7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Diodes Incorporated  
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type E)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 660mW (Ta)  
Contenitore / involucro 6-PowerUDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1779 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base DMN2015  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Diodes Incorporated DMN2015UFDE-7

Proprietà del prodotto DMN2015UFDE-7 DMN2013UFDE-7 DMN2015UFDF-7 DMN2013UFDEQ-7
Modello di prodotti DMN2015UFDE-7 DMN2013UFDE-7 DMN2015UFDF-7 DMN2013UFDEQ-7
fabbricante Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Dissipazione di potenza (max) 660mW (Ta) 660mW (Ta) 1.8W (Ta) 660mW (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1779 pF @ 10 V 2453 pF @ 10 V 1439 pF @ 10 V 2453 pF @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45.6 nC @ 10 V 25.8 nC @ 8 V 42.3 nC @ 10 V 25.8 nC @ 8 V
Numero di prodotto di base DMN2015 DMN2013 DMN2015 DMN2013
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Ta) 10.5A (Ta) 15.2A (Ta) 10.5A (Ta)
Contenitore / involucro 6-PowerUDFN 6-PowerUDFN 6-UDFN Exposed Pad 6-PowerUDFN
Vgs (th) (max) a Id 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V 11mOhm @ 8.5A, 4.5V 9mOhm @ 8.5A, 4.5V 11mOhm @ 8.5A, 4.5V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±12V ±8V ±12V ±8V
Contenitore dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type E) U-DFN2020-6 (Type E) U-DFN2020-6 U-DFN2020-6 (Type E)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V

DMN2015UFDE-7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DMN2015UFDE-7 PDF e la documentazione Diodes Incorporated per DMN2015UFDE-7 - Diodes Incorporated.

Informazioni ambientali
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
PCN Design/Specifica
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
Schede tecniche
DMN2015UFDE.pdf

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Europa Germania 5
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